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    	          物競編號
    	          1747

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          C
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          12.01
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        半導體材料
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統
          
    	
          CAS號：7782-40-3
          
        
          MDL號：MFCD00211867
          
        
          EINECS號：231-953-2
          
        
          RTECS號：HL4158550
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：暫無
          

    	
          物性數據
          
    	
          
    		
          1.       性狀：粉末
          2.       密度（g/mL at 25°C）：3.5
          3.       相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
          4.       熔點（oC）：未確定
          5.       沸點（oC,常壓）：未確定
          6.       沸點（oC,0.1mmHg）：未確定
          7.       折射率（n20/D）：未確定
          8.       閃點（oC）：未確定
          9.       比旋光度（o）：未確定
          10.    自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
          11.    蒸氣壓（mmHg,20oC）：未確定
          12.    飽和蒸氣壓（kPa,-164oC）：未確定
          13.    燃燒熱（KJ/mol）：未確定
          14.    臨界溫度（oC）：未確定
          15.    臨界壓力（MPa）：未確定
          16.    油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
          17.    爆炸上限（%,V/V）：未確定
          18.    爆炸下限（%,V/V）：未確定
          19.    溶解性：未確定
          
    	
          
    	
          毒理學數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          生態學數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          分子結構數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          計算化學數據
          
    	
          
    		
          1、   疏水參數計算參考值（XlogP）：-1.1
          2、   氫鍵供體數量：0
          3、   氫鍵受體數量：2
          4、   可旋轉化學鍵數量：0
          5、   互變異構體數量：
          6、   拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.1
          7、   重原子數量：2
          8、   表面電荷：0
          9、   復雜度：0
          10、   同位素原子數量：0
          11、   確定原子立構中心數量：0
          12、   不確定原子立構中心數量：0
          13、   確定化學鍵立構中心數量：0
          14、   不確定化學鍵立構中心數量：0
          15、   共價鍵單元數量：1
          
    	
          
    	
          性質與穩定性
          
    	
          
    		
          金剛石晶體膜是一種人工合成的新型功能材料，它由金剛石微晶體構成，具有高硬度、低摩擦、高熱導率（為銅的５倍）、低膨脹系數、良好抗熱沖擊性能、良好抗腐蝕性、極高電絕緣強度、寬波段高透過率和高電子折射率等多項復合性能。
          本品無毒。

          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		　產品應貯存放在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內。
          
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
          制備金剛石薄膜常用的方法是氣相沉積法，該方法可分以下３種類型。
          （１）熱化學氣相沉積（ＴＣＶＤ）法　在高溫下使含碳氣相組分發生熱分解即形成金剛石薄膜。這一方法在早期的制備過程中是比較成功的方法，目前采用很多的熱絲法（ＥＦＣＶＤ）以及對于沉積速率有著獨特優越性的熱化學焰法均屬于此類。
          （２）物理化學氣相沉積法　用物理化學方法促進ＣＶＤ過程，例如等離子增強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ或ＰＡＣＶＤ）、微波等離子體ＣＶＤ（ＭＷＣＶＤ）、射頻等離子體ＣＶＤ（ＲＦＰＥＣＶＤ）和直流等離子體ＣＶＤ（ＤＣＰＥＣＶＤ）及電子增強ＣＶＤ（ＥＡＣＶＤ）等。
          （３）物理氣相沉積法　即用物理方法（蒸發、濺射、離子束等）直接從碳源獲取碳原子或碳離子，將含碳氣體轉變為氣態活性碳原子，定向沉積在物體表面并沉積生成一層致密、均勻、光滑的碳碳原子鍵結構的固態晶體膜。這類工藝的關鍵技術是利用高能離子在基材表面的微區內形成７５０００℃和壓強１２×１０９Ｐａ的熱尖峰，其持續時間為１０－２１ｓ，從而促進金剛石膜的形成。沉積工藝需在高能態、高真空條件下，嚴格控制電磁場能量，精確掌握含碳化合物的原材料配比和濃度，以及反應沉積速率。
          
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		
          用于金屬、塑料、玻璃等材料表面生成金剛石膜。如半導體及半導體器件熱沉電阻、電絕緣層。
          
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：暫無
          
    	
          危險品標志：暫無
          
    	
          安全標識：暫無
          
    	
          危險標識：暫無
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜